蛍光X線 深さ方向

蛍光X線 深さ方向. 蛍光x 線分析法を用 いて深さ方向分析や3 次元分析を行うためには、特定の深さで発生した蛍光x 線のみを選 択的に検出する必要がある。その1つの方法はfig.1 に示すように2 つのx 線集光素子を 組み合わせた共焦点蛍光x 線分析法である。 2.2 蛍光x線測定における分析深さ 蛍光x線測定における無根厚はマトリックスの組成や x線のエネルギーに大きく依存するが，軽元素マトリッ クスの試料については1mm以上に相当する場合もある。 バルクの測定が可能である点が蛍光x線分析の特徴であ

高輝度放射光分析で白金ナノ粒子付着の高感度可視化に成功（プレスリリース） — SPring8 Web Site from www.spring8.or.jp

・検出 ： 特性x線（表面観察は二次電子） ・分析面積 ： 数μm～数mm ・分析深さ ： 横方向 約1μm、深さ方向 約1μm（材種による） ・得られる情報 定性分析 ： bより原子番号の大きな元素 定量分析 ： naより原子番号の大きな元素 X 線は，全反射条件以下の低い角度で光学的に平滑 な表面に入射するとほとんどが全反射するが，ごく一部 は基板中数nm の深さまで侵入し，その領域にある元素 を励起して蛍光x 線を発生させる。この蛍光x 線を計 2.2 蛍光x線測定における分析深さ 蛍光x線測定における無根厚はマトリックスの組成や x線のエネルギーに大きく依存するが，軽元素マトリッ クスの試料については1mm以上に相当する場合もある。 バルクの測定が可能である点が蛍光x線分析の特徴であ

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・検出 ： 特性x線（表面観察は二次電子） ・分析面積 ： 数μm～数mm ・分析深さ ： 横方向 約1μm、深さ方向 約1μm（材種による） ・得られる情報 定性分析 ： bより原子番号の大きな元素 定量分析 ： naより原子番号の大きな元素 2.2 蛍光x線測定における分析深さ 蛍光x線測定における無根厚はマトリックスの組成や x線のエネルギーに大きく依存するが，軽元素マトリッ クスの試料については1mm以上に相当する場合もある。 バルクの測定が可能である点が蛍光x線分析の特徴であ

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分析に関係の深い励起源である較x線 と数100ev～ 数 10kevの 電子の侵入拡散深さ,お よび光電子とオージ ェ電子の脱出深さについて整理・考察を行なってみる。 1. X 線は，全反射条件以下の低い角度で光学的に平滑 な表面に入射するとほとんどが全反射するが，ごく一部 は基板中数nm の深さまで侵入し，その領域にある元素 を励起して蛍光x 線を発生させる。この蛍光x 線を計

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X 線は，全反射条件以下の低い角度で光学的に平滑 な表面に入射するとほとんどが全反射するが，ごく一部 は基板中数nm の深さまで侵入し，その領域にある元素 を励起して蛍光x 線を発生させる。この蛍光x 線を計 ・検出 ： 特性x線（表面観察は二次電子） ・分析面積 ： 数μm～数mm ・分析深さ ： 横方向 約1μm、深さ方向 約1μm（材種による） ・得られる情報 定性分析 ： bより原子番号の大きな元素 定量分析 ： naより原子番号の大きな元素

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X 線は，全反射条件以下の低い角度で光学的に平滑 な表面に入射するとほとんどが全反射するが，ごく一部 は基板中数nm の深さまで侵入し，その領域にある元素 を励起して蛍光x 線を発生させる。この蛍光x 線を計 分析に関係の深い励起源である較x線 と数100ev～ 数 10kevの 電子の侵入拡散深さ,お よび光電子とオージ ェ電子の脱出深さについて整理・考察を行なってみる。 1.

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2.2 蛍光x線測定における分析深さ 蛍光x線測定における無根厚はマトリックスの組成や x線のエネルギーに大きく依存するが，軽元素マトリッ クスの試料については1mm以上に相当する場合もある。 バルクの測定が可能である点が蛍光x線分析の特徴であ X 線は，全反射条件以下の低い角度で光学的に平滑 な表面に入射するとほとんどが全反射するが，ごく一部 は基板中数nm の深さまで侵入し，その領域にある元素 を励起して蛍光x 線を発生させる。この蛍光x 線を計

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蛍光x 線分析法を用 いて深さ方向分析や3 次元分析を行うためには、特定の深さで発生した蛍光x 線のみを選 択的に検出する必要がある。その1つの方法はfig.1 に示すように2 つのx 線集光素子を 組み合わせた共焦点蛍光x 線分析法である。 2.2 蛍光x線測定における分析深さ 蛍光x線測定における無根厚はマトリックスの組成や x線のエネルギーに大きく依存するが，軽元素マトリッ クスの試料については1mm以上に相当する場合もある。 バルクの測定が可能である点が蛍光x線分析の特徴であ

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分析に関係の深い励起源である較x線 と数100ev～ 数 10kevの 電子の侵入拡散深さ,お よび光電子とオージ ェ電子の脱出深さについて整理・考察を行なってみる。 1. 蛍光x 線分析法を用 いて深さ方向分析や3 次元分析を行うためには、特定の深さで発生した蛍光x 線のみを選 択的に検出する必要がある。その1つの方法はfig.1 に示すように2 つのx 線集光素子を 組み合わせた共焦点蛍光x 線分析法である。

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・検出 ： 特性x線（表面観察は二次電子） ・分析面積 ： 数μm～数mm ・分析深さ ： 横方向 約1μm、深さ方向 約1μm（材種による） ・得られる情報 定性分析 ： bより原子番号の大きな元素 定量分析 ： naより原子番号の大きな元素 蛍光x 線分析法を用 いて深さ方向分析や3 次元分析を行うためには、特定の深さで発生した蛍光x 線のみを選 択的に検出する必要がある。その1つの方法はfig.1 に示すように2 つのx 線集光素子を 組み合わせた共焦点蛍光x 線分析法である。

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2.2 蛍光x線測定における分析深さ 蛍光x線測定における無根厚はマトリックスの組成や x線のエネルギーに大きく依存するが，軽元素マトリッ クスの試料については1mm以上に相当する場合もある。 バルクの測定が可能である点が蛍光x線分析の特徴であ ・検出 ： 特性x線（表面観察は二次電子） ・分析面積 ： 数μm～数mm ・分析深さ ： 横方向 約1μm、深さ方向 約1μm（材種による） ・得られる情報 定性分析 ： bより原子番号の大きな元素 定量分析 ： naより原子番号の大きな元素

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2.2 蛍光x線測定における分析深さ 蛍光x線測定における無根厚はマトリックスの組成や x線のエネルギーに大きく依存するが，軽元素マトリッ クスの試料については1mm以上に相当する場合もある。 バルクの測定が可能である点が蛍光x線分析の特徴であ X 線は，全反射条件以下の低い角度で光学的に平滑 な表面に入射するとほとんどが全反射するが，ごく一部 は基板中数nm の深さまで侵入し，その領域にある元素 を励起して蛍光x 線を発生させる。この蛍光x 線を計

2.2 蛍光X線測定における分析深さ 蛍光X線測定における無根厚はマトリックスの組成や X線のエネルギーに大きく依存するが，軽元素マトリッ クスの試料については1Mm以上に相当する場合もある。 バルクの測定が可能である点が蛍光X線分析の特徴であ

・検出 ： 特性x線（表面観察は二次電子） ・分析面積 ： 数μm～数mm ・分析深さ ： 横方向 約1μm、深さ方向 約1μm（材種による） ・得られる情報 定性分析 ： bより原子番号の大きな元素 定量分析 ： naより原子番号の大きな元素 蛍光x 線分析法を用 いて深さ方向分析や3 次元分析を行うためには、特定の深さで発生した蛍光x 線のみを選 択的に検出する必要がある。その1つの方法はfig.1 に示すように2 つのx 線集光素子を 組み合わせた共焦点蛍光x 線分析法である。 X 線は，全反射条件以下の低い角度で光学的に平滑 な表面に入射するとほとんどが全反射するが，ごく一部 は基板中数nm の深さまで侵入し，その領域にある元素 を励起して蛍光x 線を発生させる。この蛍光x 線を計

分析に関係の深い励起源である較X線 と数100Ev～ 数 10Kevの 電子の侵入拡散深さ,お よび光電子とオージ ェ電子の脱出深さについて整理・考察を行なってみる。 1.